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SK Hynix DDR5-6400内存详细信息:通过1ynm工艺实现双倍存储密度
浏览: 发布日期:2019-03-12

   SK Hynix最近发布了其第一款DDR5-6400内存芯片。 频率高达6400兆赫兹,是大多数DDR4内存的两倍,而单个容量为16Gb(2GB )。

   SK·海尼克斯公司 DDR5-6400存储器通过1ynm工艺制造。 也就是说,第二代10nm工艺( DRAM工艺现在很少定义为单个数字),四个金属层,面积为76。 22 mm2。

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这是什么概念?

   SK Hynix上一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片的面积为一彩娱乐登录76平方毫米,相当于今天同一区域的两倍容量和两倍存储密度。。

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   然而,76。22平方毫米仍然是相当大的面积,而且成本肯定非常高。后续行动仍然取决于技术进步。例如,第二代21nm工艺的8Gb DDR4减少到53。6平方毫米,完全30 %。

   当然, 双倍的存储密度可以有效抵消不断上涨的成本,更不用说制造更小的4Gb芯片了。

   此外,一彩娱乐主管 新存储器的工作电压仅为1。1V,与DDR4标准的1相比。2V已经降低了大约8 %,而许多高频DDR4存储器必须添加到1。3 5V甚至非常危险1.5V。

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   为了实现6400兆赫的高频,1。SK Hynix的低电压为1V,因此在电路一彩娱乐设计方面做了大量工作。例如,为了减少高频时的时钟抖动和时钟占空比失真,添加了新的延迟锁定环路DLL,并使用相位旋转器和注入锁定振荡器。

   此外,还有一种新的前向反馈均衡( FFE )电路和一种新的写入均衡训练算法。

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   目前,三星电子、SK Hynix、美光和其他巨头都在为DDR5冲刺。然而,行业标准很久没有最终确定。原定于2018年底发布该产品的计划现在已经严重逾期,JEDEC没有给出新的时间表。

   另一方面,一彩娱乐平台 用于智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5已经完成。

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